Étude de membranes métalliques par tomographie synchrotron à haute résolution et diffraction des rayons X synchrotron

VAT est l’un des leaders mondiaux du développement de solutions pour le  vide poussé, essentielles à la fabrication de semi-conducteurs, d’écrans et de technologies numériques. 

Dans une démarche d’amélioration continue des performances de ses produits et de la qualité de fabrication, VAT souhaitait mieux comprendre les écarts géométriques et les contraintes résiduelles générés lors de l’emboutissage de membranes métalliques. Une caractérisation approfondie de ces phénomènes était nécessaire pour optimiser les procédés de fabrication et contribuer à garantir la fiabilité à long terme des composants.

Les techniques de caractérisation des matériaux mises en œuvre par ANAXAM, notamment la tomographie synchrotron à haute résolution et la diffraction des rayons X synchrotron, ont permis d'étudier les membranes métalliques après emboutissage. La tomographie synchrotron a permis de mesurer et d’analyser avec précision les écarts géométriques afin de caractériser la forme des membranes après emboutissage. Des mesures complémentaires de diffraction synchrotron ont été utilisées pour quantifier les contraintes résiduelles induites par l’emboutissage. 

La combinaison de ces deux techniques de caractérisation a permis de mieux comprendre la géométrie et l'état de contraintes résiduelles des membranes. Ces résultats constituent une base solide pour approfondir l'étude des procédés de fabrication et de leur influence sur la fiabilité des composants.